三星正研制160层3D闪存制作工艺或将大幅改进

日前，有音讯称，继上一年推出的136层第六代V-NAND闪存后，三星现在正在研制160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的根底。

据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星本年的量产主力。韩媒报导称三星可能会大幅改善制作工艺，从现在的单仓库（single-stack）升级到双仓库（double-stack），以便制作更高层数的3D闪存。

考虑到三星在NAND闪存职业占有了超越1/3的比例，实力是最强的，不出意外160+层仓库的闪存应该也会是他们首发，持续坚持闪存技能上的优势，摆开与对手的距离。

就在上星期，我国的长江存储公司宣告霸占128层3D闪存技能，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，发明了三个世界第一。此外，SK Hynix在上一年也已宣告正在研制176层仓库的4D闪存；不过他们家的闪存结构乃至命名都跟其他厂商不一样，不能单看层数凹凸。