三星拟首先量产3nm芯片制作工艺性能较5nm估计提高30%

1月3日音讯，据国外新闻媒体报导，在芯片制作工艺方面，为苹果、华为等制作芯片的台积电近几年走在职业的前列，首先量产了7nm工艺，更先进的5nm工艺估计在本年一季度投产。

但在下一代的3nm芯片制作工艺方面，台积电或许会有来自三星的应战，后者拟首先运用这一先进的工艺制作芯片。

外媒是在三星电子实践领导人李在镕观赏韩国京畿道华城的半导体研制中心的报导中，泄漏三星拟首先量产3nm工艺的，在当地时间周四的这一次观赏中，李在镕他们评论了成为全球首个使用3nm工艺制作芯片的战略。

从外媒的报导来看，三星电子的3nm制程工艺，将选用GAA架构，这一架构也是现在FinFET技能的继任者，能使芯片制作商开展到微芯片的工艺规模。

在3nm的工艺量产之前，三星还需要量产5nm工艺，三星在上一年4月份完成了根据EUV技能的5nm FinFET制程技能的研制，估计在本年上半年可以大规模量产。

三星方面表明，同5nm制程工艺比较，3nm GAA技能能使芯片的理论面积缩小35%，能耗则能下降50%，功能则会进步30%。

周四观赏华城的半导体研制中心，是三星电子发表的李在镕在2020年的首个官方行程，三星的发言人表明，李在镕再次观赏华城的报导体研制中心，凸显了三星电子成为尖端非存储芯片制作商的决计。

亚马逊、Facebook等没有芯片制作才能的科技巨子们都已开始自研AI芯片和数据中心芯片，以更好的习惯本身事务的开展，这也将导致对芯片制作需求的添加，三星已看好这一范畴的开展，预备添加在芯片制作方面的出资，上一年年末，三星电子已宣告方案未来10年出资133万亿韩元，折合约1147亿美元，用于开展芯片制作事务。